直流負壓濺射和直流濺射  在直流濺射中，帶正電的離子被吸引到接地的、帶負電的濺射靶上，從靶材上濺射出原子，然后這些原子在樣品（也稱為襯底）上沉積形成薄膜。通常情況下，濺射靶被接到正極，而樣品端（襯底）被接到負極或接地。
  

   然而，有些(xie)情況下（如反濺射(she)(she)或(huo)偏壓濺射(she)(she)），樣品端會被接到正極以(yi)(yi)(yi)吸(xi)引多(duo)余(yu)的(de)離(li)子(zi)，從而實現清潔襯(chen)底表面(mian)或(huo)形(xing)成離(li)子(zi)轟(hong)擊確(que)保薄(bo)膜和(he)基底的(de)結(jie)(jie)合(he)強(qiang)度。這種電源連接方式可以(yi)(yi)(yi)提高(gao)薄(bo)膜的(de)層內應力，改善(shan)其結(jie)(jie)晶性能，以(yi)(yi)(yi)及提高(gao)薄(bo)膜沉積效率(lv)。

   這(zhe)種(zhong)操作(zuo)需要(yao)一定的(de)注意(yi)事項，因(yin)為(wei)樣品(pin)端(duan)上高(gao)電(dian)(dian)壓可(ke)能(neng)(neng)會導(dao)致放(fang)電(dian)(dian)，影響設(she)備(bei)的(de)穩(wen)定性和(he)薄膜的(de)質量，還有可(ke)能(neng)(neng)對樣品(pin)造成損(sun)壞。根據具(ju)體的(de)設(she)備(bei)設(she)計和(he)操作(zuo)要(yao)求，可(ke)能(neng)(neng)需要(yao)在樣品(pin)端(duan)和(he)電(dian)(dian)源(yuan)之間添加(jia)一個抗電(dian)(dian)弧裝(zhuang)置(zhi)來降低這(zhe)種(zhong)風險。