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Product Center低溫真空探針臺 廣泛(fan)應用于半導(dao)體工業(芯片、晶圓片、封裝器(qi)件)、MEMS、超導(dao)、電(dian)子學(xue)(xue)、物(wu)理學(xue)(xue)和(he)材料學(xue)(xue)等領域。為(wei)了提(ti)高系(xi)統的(de)實用性,系(xi)統還(huan)可(ke)以(yi)提(ti)供3.2K的(de)溫度擴展選(xuan)件、振(zhen)動隔離裝置(zhi)、LN2杜(du)瓦、高放大倍數的(de)顯微(wei)鏡、分子泵(beng)機組、熱輻射屏的(de)溫度控(kong)制裝置(zhi)、探針臂的(de)光纖電(dian)纜、光學(xue)(xue)樣品架等選(xuan)件。
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相關(guan)文(wen)章品牌 | 鄭科探 |
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低溫真空探針臺是(shi)一款為(wei)晶(jing)片、器件(jian)和材料(liao)(薄膜(mo)、納米、石墨烯、電(dian)(dian)子材料(liao)、超導材料(liao)、鐵電(dian)(dian)材料(liao)等)提供真(zhen)空和低溫(wen)測試條件(jian)下進行非破(po)壞性的電(dian)(dian)學表(biao)征和測量(liang)(liang)平臺。可以對材料(liao)或器件(jian)進行電(dian)(dian)學特性測量(liang)(liang)、光電(dian)(dian)特性測量(liang)(liang)、參數測量(liang)(liang)、高阻(zu)測量(liang)(liang)、DC測量(liang)(liang)、RF測量(liang)(liang)和微波特性測量(liang)(liang),
低溫真空探針臺廣(guang)泛應用于半導(dao)體工業(芯片(pian)、晶(jing)圓片(pian)、封裝器(qi)件(jian))、MEMS、超導(dao)、電子學、物理學和材(cai)料學等領域。為了(le)提高系(xi)(xi)統(tong)的(de)(de)實用性,系(xi)(xi)統(tong)還可以(yi)提供3.2K的(de)(de)溫度(du)擴展選件(jian)、振動(dong)隔離裝置、LN2杜(du)瓦、高放大倍(bei)數(shu)的(de)(de)顯微鏡(jing)、分子泵(beng)機(ji)組、熱(re)輻射(she)屏的(de)(de)溫度(du)控制(zhi)裝置、探針臂的(de)(de)光纖電纜、光學樣(yang)品架等選件(jian)。
KT-Z1604T探針臺主要(yao)應用于傳感(gan)器,半導(dao)體,光(guang)電,集成電路以及封(feng)裝的測(ce)試。 廣泛應用于復雜、高速器件的精密電氣測(ce)量(liang)(liang)的研(yan)發,旨(zhi)在確保質量(liang)(liang)及可靠性,并縮減研(yan)發時(shi)間和(he)器件制造工(gong)藝的成本(ben)。
該探(tan)針(zhen)(zhen)臺(tai)(tai)的承載(zai)臺(tai)(tai)為60x60不銹鋼(gang)臺(tai)(tai)面(mian)(mian),臺(tai)(tai)面(mian)(mian)可(ke)升溫(wen)到350℃。真(zhen)空腔體設計有進氣(qi)口和抽真(zhen)空接口。探(tan)針(zhen)(zhen)臂(bei)為X/Y/Z三(san)軸移(yi)(yi)動(dong),三(san)個(ge)方(fang)(fang)向(xiang)均可(ke)在真(zhen)空環境下(xia)精(jing)密移(yi)(yi)位(wei)調節(jie)(jie),其中X方(fang)(fang)向(xiang)調節(jie)(jie)范圍:0-30mm;y方(fang)(fang)向(xiang)調節(jie)(jie)范圍:0-20mm;z方(fang)(fang)向(xiang)調節(jie)(jie)范圍:0-20mm;用(yong)戶可(ke)根據需要(yao)自行調節(jie)(jie)。使用(yong)時將需檢測(ce)的器件固定在加熱臺(tai)(tai)上,再微調探(tan)針(zhen)(zhen)支架X/Y/Z 方(fang)(fang)向(xiang)行程,通過顯(xian)微鏡觀察,使探(tan)針(zhen)(zhen)對(dui)準檢測(ce)點(dian)后,即(ji)可(ke)進行檢測(ce)
真空腔體(ti) | |
腔體(ti)材質 | 304不銹鋼 |
上蓋開啟 | 鉸鏈側(ce)開 |
加熱臺材質 | 304不銹鋼(gang) |
內腔體尺寸 | φ160x90mm |
觀察窗尺寸 | Φ70mm |
加熱臺尺寸 | φ60mm |
觀察窗熱臺間距 | 75mm |
加熱(re)臺溫度 | 35-350℃ |
加熱臺(tai)溫控誤(wu)差 | ±1℃ |
真空(kong)度 | 機(ji)械泵≤10Pa 分子泵≤10-3Pa |
允許正(zheng)壓(ya) | ≤0.1MPa |
真空抽氣口(kou) | KF25真空法(fa)蘭 |
氣體進氣口(kou) | 3mm-6mm卡套接頭(tou) |
電信號接頭 | SMA轉(zhuan)BNC X 4 |
電學性能 | 絕緣(yuan)電(dian)阻 ≥4000MΩ 介質耐壓(ya) ≤500V |
探針數量 | 4探針 |
探針材質(zhi) | 鎢針 |
探(tan)針尖 | 10μm |
探針移動平臺 | |
X軸移動行程(cheng) | 30mm ±15mm |
X軸控制精度 | ≤0.01mm |
Y軸移(yi)動行程(cheng) | 13mm ±12.5mm |
Y軸(zhou)控制精度(du) | ≤0.01mm |
Z軸移(yi)動行程 | 13mm ±12.5mm |
Z軸控制(zhi)精度 | ≤0.01mm |
電(dian)子顯(xian)微鏡 | |
顯微鏡(jing)類別 | 物鏡(jing) |
物鏡倍(bei)數(shu) | 0.7-4.5倍 |
工(gong)作間(jian)距 | 90mm |
相機(ji) | sony 高清(qing) |
像素 | 1920※1080像素 |
圖像接口 | VGA |
LED可(ke)調(diao)光源 | 有 |
顯示屏 | 8寸 |
放大(da)倍數 | 19-135倍,視場(chang)范圍15×13-2.25×1.7mm,小(xiao)可分辨0.08mm |