KT-PE500ZPECVD射頻模塊是借助于輝(hui)(hui)光(guang)(guang)放(fang)電(dian)等(deng)(deng)(deng)方法產生(sheng)等(deng)(deng)(deng)離(li)子(zi)體，輝(hui)(hui)光(guang)(guang)放(fang)電(dian)等(deng)(deng)(deng)離(li)子(zi)體中：電(dian)子(zi)密度高109-1012cm3電(dian)子(zi)氣體溫(wen)(wen)度比普通氣體分子(zi)溫(wen)(wen)度高出10-100倍，使(shi)含有(you)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)組成的(de)(de)氣態物質發生(sheng)化學(xue)反(fan)應(ying)，從而(er)實現薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)材料生(sheng)長(chang)(chang)的(de)(de)一種(zhong)新的(de)(de)制備技術。通過反(fan)應(ying)氣態放(fang)電(dian)，有(you)效地利(li)用(yong)了非平衡(heng)等(deng)(deng)(deng)離(li)子(zi)體的(de)(de)反(fan)應(ying)特(te)征，從根本上改變了反(fan)應(ying)體系的(de)(de)能量(liang)供給方式(shi)低溫(wen)(wen)熱等(deng)(deng)(deng)離(li)子(zi)體化學(xue)氣相沉(chen)積(ji)法具有(you)氣相法的(de)(de)所有(you)優點，工藝流程簡(jian)單，與傳統(tong)CVD系統(tong)比較，生(sheng)長(chang)(chang)溫(wen)(wen)度更低，管輝(hui)(hui)光(guang)(guang)均勻(yun)等(deng)(deng)(deng)效，薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)均勻(yun)沉(chen)積(ji)。

PECVD射頻模塊產品參數：