PECVD簡(jian)介

   上海(hai)實驗(yan)室真(zhen)空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積PECVD是借助于輝光(guang)放電等方法產生(sheng)(sheng)等離子(zi)體(ti)(ti)，輝光(guang)放電等離子(zi)體(ti)(ti)中：電子(zi)密度(du)(du)高109-1012cm3電子(zi)氣(qi)體(ti)(ti)溫度(du)(du)比(bi)普通氣(qi)體(ti)(ti)分子(zi)溫度(du)(du)高出10-100倍，使含有薄膜(mo)組成的(de)氣(qi)態(tai)物質(zhi)發生(sheng)(sheng)化(hua)學反應，從而實現薄膜(mo)材料(liao)生(sheng)(sheng)長(chang)的(de)一種新的(de)制備技術。

  上海實驗室真空(kong)PECVD射頻模塊薄(bo)膜均勻沉(chen)積通(tong)過反(fan)應(ying)氣態放電(dian)，有效地利用了非平衡等離(li)子體(ti)的(de)(de)反(fan)應(ying)特(te)征，從根本上改(gai)變(bian)了反(fan)應(ying)體(ti)系的(de)(de)能量供給(gei)方式低溫(wen)熱(re)等離(li)子體(ti)化學氣相(xiang)沉積法具有氣相(xiang)法的(de)(de)所有優點，工藝流程簡單，與傳統(tong)CVD系(xi)統比(bi)較(jiao)，生長溫度更低，管(guan)輝光均勻(yun)等效，薄膜均勻(yun)沉積。

上海實(shi)驗室PECVD射頻模塊薄(bo)膜均勻沉積

KT-PE150S  性能參數