O2流量為(wei)0.8sccm、1.0sccm、1.2sccm時直流和(he)射頻制備(bei)的(de)薄膜均呈(cheng)透(tou)明狀且(qie)表面(mian)均勻(yun)致密，常溫下不同O2流量制備的Al2O3薄膜均為非晶(jing)態。　　在單因素試驗研(yan)究(jiu)的基礎上(shang)設計正(zheng)交試驗，繼(ji)續深入研(yan)究(jiu)直流、射頻方法下，濺射靶功率、O2流量、工作氣壓的(de)綜(zong)合變化對Al2O3薄(bo)膜(mo)(mo)濺(jian)射沉積速(su)率的影(ying)響，并對(dui)正交試驗結(jie)果進行(xing)極差與方(fang)差分析。獲(huo)取(qu)了較(jiao)優(you)的直流、射頻薄(bo)膜(mo)(mo)制(zhi)備工藝參數(shu)(shu)并進行(xing)薄(bo)膜(mo)(mo)的制(zhi)備，對(dui)制(zhi)備薄(bo)膜(mo)(mo)的沉積時間、薄(bo)膜(mo)(mo)表面粗糙(cao)度、薄(bo)膜(mo)(mo)的復合硬度進行(xing)檢測并對(dui)比(bi)分析，選定了優(you)化后的直流濺(jian)射工藝參數(shu)(shu)并實施Al2O3薄(bo)膜(mo)的制(zhi)備(bei)(bei)。通過對(dui)制(zhi)備(bei)(bei)的薄(bo)膜(mo)進行(xing)掃描電鏡觀(guan)測和能譜檢測，驗證了所選工藝參數的合理性。對(dui)常(chang)溫(wen)下(xia)不銹鋼(gang)基底上制(zhi)備(bei)(bei)的Al2O3薄膜進行退火處理，測試分析退火溫度對薄膜晶體結(jie)構影(ying)響(xiang)，結(jie)果(guo)表明:與常溫(wen)(wen)制備薄膜相比，退(tui)火溫(wen)(wen)度800℃時出現(xian)γ-Al2O3晶體結構，奧氏體相消失，退火溫度1000℃時出現α-Al2O3晶體結構(gou)和金屬間化合物AlFe。　　利用薄(bo)膜(mo)傳(chuan)感(gan)器(qi)的結構要求(qiu)與傳(chuan)感(gan)器(qi)薄(bo)膜(mo)的性能要求(qiu)探索了制備(bei)Al2O3絕緣膜的工藝方法(fa)，得(de)出(chu)了(le)濺射靶(ba)功率、O2流(liu)量、工作氣壓、負偏壓和本(ben)底(di)真空度(du)等(deng)因(yin)素對直流(liu)和射頻濺射沉積(ji)薄膜(mo)性能等(deng)的(de)影響規律，改進并優化了(le)Al2O3薄(bo)膜制備工(gong)藝，結合退火工(gong)藝得出了退火溫度對Al2O3薄(bo)膜晶體(ti)結構的影響規律。

            三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD

應用領域：

離子濺射(she)儀在(zai)掃描(miao)電鏡中應用(yong)十分廣泛，通過向樣品(pin)表面噴鍍金、鉑、鈀(ba)及(ji)混合靶材等金屬消除(chu)不導電樣品(pin)的荷電現象，并(bing)提高觀測效(xiao)率，另外可以使用(yong)噴碳附件(jian)對樣品(pin)進行(xing)蒸(zheng)碳，實(shi)現不導電樣品(pin)的能(neng)譜儀元素(su)定性(xing)和半定量分析。

  三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應技術參數；