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高溫真空探針臺KT-Z1604TZ，可單選高溫或低溫等相(xiang)應組(zu)件，溫度可達(da)到400℃。以便(bian)測(ce)量(liang)分析溫度變(bian)化時(shi)芯片(pian)性能參數(shu)的變(bian)化。腔(qiang)體內被測(ce)芯片(pian)在真空環境中(zhong)有效避免(mian)易(yi)受氧化半導體器件接觸(chu)空氣所帶(dai)來的測(ce)試結果誤差。

真(zhen)空(kong)(kong)手動(dong)探針(zhen)(zhen)臺變溫射頻探針(zhen)(zhen)熱臺該(gai)腔體設計有進氣(qi)口(kou)和(he)抽真(zhen)空(kong)(kong)接(jie)(jie)口(kou)其真(zhen)空(kong)(kong)度用(yong)機械泵(beng)可達＜5Pa分子泵(beng)可達＜-3Pa。真(zhen)空(kong)(kong)信(xin)號(hao)連接(jie)(jie)處(chu)使用(yong)高級(ji)真(zhen)空(kong)(kong)電(dian)極信(xin)號(hao)接(jie)(jie)頭(tou)，保(bao)證(zheng)氣(qi)密性及抗干擾(rao)性能(neng)。使用(yong)時將(jiang)(jiang)需將(jiang)(jiang)待檢(jian)測(ce)的(de)器件方(fang)在加(jia)熱臺面(mian)，探針(zhen)(zhen)頂尖處(chu)由(you)3軸可移動(dong)探針(zhen)(zhen)手動(dong)調節移動(dong)至被測(ce)試(shi)器件的(de)引腳處(chu)，外(wai)部信(xin)號(hao)線連接(jie)(jie)測(ce)試(shi)儀器來(lai)測(ce)試(shi)電(dian)學信(xin)號(hao)。