產品中心
Product Center高溫(wen)(wen)真空探針臺KT-Z1604TZ,可單選高溫(wen)(wen)或低溫(wen)(wen)等相應組件,溫(wen)(wen)度可達到400℃。以便測(ce)量分(fen)析溫(wen)(wen)度變化時芯(xin)(xin)片(pian)(pian)性能參數的變化。腔(qiang)體內被測(ce)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)在真空環(huan)境(jing)中有效避免易受氧化半導體器(qi)件接觸(chu)空氣(qi)所帶來的測(ce)試結果誤差(cha)。
品牌 | 鄭科探 |
---|
高溫(wen)真空探針(zhen)臺(tai)KT-Z1604TZ
真(zhen)空探(tan)針臺可實現高真(zhen)空環境下(xia)的高溫(wen)及(ji)低(di)溫(wen)電學性能測(ce)(ce)量,真(zhen)空腔一體(ti)成型,具有設計合理(li),真(zhen)空度(du)穩定,溫(wen)控精度(du)及(ji)機械精度(du)高等特(te)點(dian);根(gen)據測(ce)(ce)試溫(wen)度(du)范圍(wei)不同(tong),可單選高溫(wen)或(huo)(huo)低(di)溫(wen)等相應組件,溫(wen)度(du)可達到400℃,低(di)溫(wen)部分采用液(ye)氮或(huo)(huo)液(ye)氦冷卻組件,溫(wen)度(du)可低(di)至-196℃,;真(zhen)空系統可選機械泵(beng)或(huo)(huo)分子泵(beng)系統,真(zhen)空度(du)可達到10-3Torr或(huo)(huo)10-6Tor。
高(gao)低溫真空探(tan)針(zhen)臺應用:
可(ke)應用于低溫或(huo)高溫真(zhen)空環(huan)境下(xia)被(bei)測樣(yang)品(pin)的電(dian)(dian)學性能測試分析,如(ru):半導體/微(wei)電(dian)(dian)子,電(dian)(dian)子,機電(dian)(dian),物(wu)理,化(hua)學,材料,光電(dian)(dian),納米,微(wei)機電(dian)(dian)/MEMS,生物(wu)芯片,航空航天等科學研究領(ling)域(yu),以及IC設計/制(zhi)造(zao)/測試/封裝、LED、LCD/OLED、LD/PD、PCB、FPC等生產制(zhi)造(zao)領(ling)域(yu)。
高溫真空探針臺(tai)KT-Z1604TZ參數
真空腔體 | |
腔體(ti)材質 |
304不銹鋼 |
上蓋開啟(qi) |
鉸鏈側開 |
加熱臺材質(zhi) |
304不銹(xiu)鋼 |
內腔體尺寸 |
φ160x90mm |
觀察窗尺寸 |
Φ70mm |
加熱(re)臺(tai)尺寸(cun) |
φ60mm |
觀察窗熱(re)臺間距(ju) |
75mm |
加熱臺(tai)溫度 |
﹣196~350℃ |
加熱臺溫(wen)控誤差 |
±1℃ |
真空度 |
機械泵≤10Pa 分子泵≤10-3Pa |
允(yun)許正壓 |
≤0.1MPa |
真空抽(chou)氣口 |
KF25真空法蘭 |
氣(qi)體進氣(qi)口 |
3mm-6mm卡套(tao)接頭 |
電信號接頭 |
SMA轉BNC X 4 |
電學性能 |
絕(jue)緣電阻 ≥4000MΩ 介質(zhi)耐壓 ≤500V |
探針(zhen)數量(liang) |
4探針 |
探針材質 |
鎢針 |
探針(zhen)尖 |
10μm |
探(tan)針移動平(ping)臺 | |
X軸移動行程 |
30mm ±15mm |
X軸控制(zhi)精(jing)度 |
≤0.01mm |
Y軸移動(dong)行程(cheng) |
13mm ±12.5mm |
Y軸控制精度(du) |
≤0.01mm |
Z軸移動行程 |
13mm ±12.5mm |
Z軸控制精度 |
≤0.01mm |
電(dian)子顯微鏡(jing) | |
顯微(wei)鏡類(lei)別(bie) |
物鏡 |
物(wu)鏡(jing)倍數 |
0.7-4.5倍(bei) |
工(gong)作(zuo)間(jian)距 |
90mm |
相機 |
sony 高清(qing) |
像(xiang)素 |
1920※1080像素 |
圖像(xiang)接(jie)口(kou) |
VGA |
LED可調光源 |
有(you) |
顯示屏(ping) |
8寸(cun) |
放(fang)大倍(bei)數(shu) |
19-135倍,視場范(fan)圍15×13-2.25×1.7mm,最小可分辨0.08mm |