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當前位置:首頁產品中心材料樣品處理小型濺射儀KT-Z1650CVD高(gao)純度(du)金靶(ba)材磁(ci)控濺射儀

高純度金靶材磁控濺射儀

產品簡介

不同的(de)蒸(zheng)發(fa)(fa)速率(lv)下沉積300nm的(de)Au薄(bo)膜,研(yan)究蒸(zheng)發(fa)(fa)速率(lv)對薄(bo)膜表(biao)面形(xing)(xing)貌和(he)性能的(de)影響。隨著蒸(zheng)發(fa)(fa)速率(lv)的(de)提(ti)高,薄(bo)膜的(de)結構(gou)變得致密,晶粒尺寸和(he)表(biao)面粗糙度(du)減小。高純度(du)金靶(ba)材磁控濺射儀(yi)KT-Z1650PVD在較(jiao)短時間(jian)內即可形(xing)(xing)成(cheng)具有細(xi)粒度(du)的(de)均勻薄(bo)膜,儀(yi)器結構(gou)緊湊,全自動控制,設計符合人體工(gong)程學。

產品型號:KT-Z1650CVD
更新時間:2023-12-26
廠商性質:生產廠家
訪問量:1104
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品牌鄭科探濺射氣體根據需求氣體
樣品臺尺寸φ50mm控制方式觸摸屏智能控制
樣品倉尺寸φ160x160mm靶材尺寸50mm
靶材材質金 鉑 銅 銀價格區間1-5萬
產地類別國產應用領域化工,電子

高純度金靶材磁控濺射儀

在不同的蒸發速率下沉積300nmAu薄膜,研究蒸發速率對薄膜表面形貌和性能的影響。隨著蒸發速率的提高,薄膜的結構變得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度減小。金薄膜方阻隨著蒸發速率提高無明顯變化,而方阻均勻性變差,但在可接受的范圍內。但蒸發速率過高會引起金屬大顆粒增多。因此,選用適合的蒸發速率對Au膜質量有很大影響。


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高純度金靶材

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應用領域:

離(li)子濺射儀在掃描電(dian)鏡中應用十(shi)分廣泛,通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材(cai)等金屬(shu)消除不導(dao)電(dian)樣品的荷電(dian)現象,并提高觀測效率,另外可(ke)以使用噴碳附件對樣品進行蒸(zheng)碳,實現不導(dao)電(dian)樣品的能譜儀元素(su)定性和半定量分析。

高純度金靶材磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應技術參數;

控制(zhi)方(fang)式

7寸人機(ji)界面 手動 自動模(mo)式切換控制

濺(jian)射(she)電源

直流濺射電源

鍍膜功(gong)能

0-999秒5段可(ke)變(bian)換功率(lv)及擋板位和(he)樣品速度(du)程(cheng)序

功(gong)率

≤1000W

輸(shu)出電(dian)壓電(dian)流

電壓≤1000V  電流≤1A

真空

機械泵 ≤5Pa(5分(fen)鐘)   分(fen)子(zi)泵≤5*10^-3Pa

濺射真空(kong)

≤30Pa

擋板類型

電控

真空(kong)腔室(shi)

石(shi)英(ying)+不銹(xiu)鋼腔體φ160mm x 170mm

樣(yang)品臺

可(ke)旋轉φ62  (可(ke)安裝φ50基(ji)底)

樣(yang)品臺轉速

8轉(zhuan)/分鐘

樣品濺射源調節距離

40-105mm

真空(kong)測量

皮拉尼真空計(已安裝 測量范(fan)圍10E5Pa  1E-1Pa)

預留(liu)真空接口

KF25抽氣口(kou)    KF16放氣口(kou)   6mm卡套進(jin)氣口(kou)






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